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Im Rahmen des Forschungsprojektes „HEB“ wurden am CiS Forschungsinstitut neue sehr hochauflösende kapazitive MEMS-Beschleunigungssensoren, mit einer Auflösung von 0,001⁰ entwickelt. Sie sind geeignet für Neigungs- bzw. Nivellierungsmessungen sowie Zustandsüberwachungen.

Grundlage bildeten Konzepte aus dem High-End-Anwendungsbereich mit dem Fokus auf der Nutzung von Chip-Level-Prozessschritten.

Die HEB-Einzel-Sensoren wurden dabei zunächst auf Chiplevel gefügt. Dabei werden die gegenüberliegenden Chips mittels Fineplacer zusammengedrückt, so dass die Metall-Strukturen der Feder-Masse- bzw. Träger-Chips (Si bzw. Glas) mittels Au-Stud-Bumps verbunden und die Abstände auf ca. 5,6 µm eingestellt werden.

Kennzeichen der Sensoren sind eine erhöhte seismische Masse, ein lateral angeordneter Differenzkondensator sowie ein hermetisches Package. Demonstrator-Aufbauten zeigen eine gute Übereinstimmung mit den simulierten Ergebnissen.